2021年12月23日，韩国浦项工科大学新材料工程系的一个研究组宣布：他们以石墨烯层和六方氮化硼(hBN)层的夹层结构为基础，制造出了能发出深紫外线的新型LED元件。

　　研究组解释，到目前为止，发出深紫外线的装置主要使用了水银或氮化铝镓为材料的元件，但这些传统元件存在污染或者发光效率上的问题。 该研究成果最近发表在世界著名学术期刊《自然通讯》上。

▲ h-BN 深紫外LED。示意图显示使用石墨烯、h-BN 和具有石墨烯结构的范德华异质纳米材料可以发射强深紫外光 (C)

　　据浦项工科大学称，目前在深紫外LED的研究主要使用的材料是氮化铝镓(以下简称AlxGa1-xN)。然而，这种材料有一个基本的限制，即随着波长变短，发光特性会迅速恶化。

　　为了突破这一限制，浦项工科大学使用h-BN作为器件材料，其单原子层的结构类似于石墨烯，外观是透明的，因此也被称为“白色石墨烯”。

　　据悉，与AlxGa1-xN不同，它在深紫外区发出明亮的光，被认为是一种可用于开发深紫外LED的新材料。但由于带隙较大，难以注入电子和空穴，从而无法制成LED。但如果对h-BN纳米薄膜施加强电压，可以通过隧道效应注入电子和空穴。因此，基于范德华异质纳米材料与石墨烯、h-BN 和石墨烯堆叠而成的 LED 器件被制造出来，并通过深紫外光谱证实实际器件发出强紫外线。

　　该大学材料科学与工程系金钟焕教授教表示：“在新波长范围内开发新型高效 LED 材料，可以打来光学器件应用领域的起点，此次对h-BN的研究意义在于可以实现深紫外LED制造。

　　此外，与现有的AlxGa1-xN材料相比，它具有明显更高的发光效率，并且器件可以小型化。”